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3SK113          12V       80mA      0.2W     G=15dB ( 900MHz )    NF=1.5dB
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GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

3SK113 12V 80mA 0.2W G=15dB ( 900MHz ) NF=1.5dB

分類: GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

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