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RF FETs 射頻場效晶體
/ BF960 20V 20mA 0.225W G=16.5dB ( 800MHz ) NF=2.8dB
MOSFETs MOS場效晶體
,
RF FETs 射頻場效晶體
BF960 20V 20mA 0.225W G=16.5dB ( 800MHz ) NF=2.8dB
分類:
MOSFETs MOS場效晶體
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