跳至主要內容
  • 02-3322-3960
  • 訂購:a1379rf@gmail.com
  • 10047 台北市新生南路一段6號 B2-17號
  • 首頁 Home
  • 所有商品 Products
  • 訂貨說明 Contact
  • 關於新銳 About
選單
  • 首頁 Home
  • 所有商品 Products
  • 訂貨說明 Contact
  • 關於新銳 About
  • 首頁 Home
  • 所有商品 Products
  • 訂貨說明 Contact
  • 關於新銳 About
選單
  • 首頁 Home
  • 所有商品 Products
  • 訂貨說明 Contact
  • 關於新銳 About
MGF1502         6V       80mA      0.3W     G>10dB ( 4GHz )
首頁 / RF FETs 射頻場效晶體 / MGF1502 6V 80mA 0.3W G>10dB ( 4GHz )
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

MGF1502 6V 80mA 0.3W G>10dB ( 4GHz )

分類: GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

相關商品

  • 2SK304        30V       10mA      0.15W
    JFETs J場效晶體

    2SK304 30V 10mA 0.15W

    查看內容
  • 2SK241        20V       30mA      0.2W     G=28dB ( 100MHz )    NF=1.7dB
    MOSFETs MOS場效晶體

    2SK241 20V 30mA 0.2W G=28dB ( 100MHz ) NF=1.7dB

    查看內容
  • 2SK121        30V       20mA      0.3W     Low Noise
    JFETs J場效晶體

    2SK121 30V 20mA 0.3W Low Noise

    查看內容
  • 2SK30A        50V       10mA      0.1W      NF=0.5dB ( 120Hz )
    JFETs J場效晶體

    2SK30A 50V 10mA 0.1W NF=0.5dB ( 120Hz )

    查看內容

版權所有 © 2026 Rf-parts (Taiwan) 新銳電業行 | 本站由 新銳電業行 架設規劃

✕