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MGF1502         6V       80mA      0.3W     G>10dB ( 4GHz )
首頁 / RF FETs 射頻場效晶體 / MGF1502 6V 80mA 0.3W G>10dB ( 4GHz )
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

MGF1502 6V 80mA 0.3W G>10dB ( 4GHz )

分類: GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

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