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3SK166   8V  80mA   0.15W   G=20dB(800MHz)   NF=1.2dB
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GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

3SK166 8V 80mA 0.15W G=20dB(800MHz) NF=1.2dB

分類: GaAsFETS 砷化鎵場效晶體, RF FETs 射頻場效晶體

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