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RF Bipolar Transistors 射頻電晶體
/ 2N5642 35V 3A 30W Po=20W G=8.2dB 28V(175MHz)
NPN
,
175MHz Band 175MHz頻帶
,
RF Bipolar Transistors 射頻電晶體
2N5642 35V 3A 30W Po=20W G=8.2dB 28V(175MHz)
分類:
NPN
,
175MHz Band 175MHz頻帶
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RF Bipolar Transistors 射頻電晶體
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