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RF FETs 射頻場效晶體
/ 3SK113 12V 80mA 0.2W G=15dB ( 900MHz ) NF=1.5dB
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體
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RF FETs 射頻場效晶體
3SK113 12V 80mA 0.2W G=15dB ( 900MHz ) NF=1.5dB
分類:
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體
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RF FETs 射頻場效晶體
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