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RF FETs 射頻場效晶體
/ 3SK166 8V 80mA 0.15W G=20dB(800MHz) NF=1.2dB
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體
,
RF FETs 射頻場效晶體
3SK166 8V 80mA 0.15W G=20dB(800MHz) NF=1.2dB
分類:
GaAsFETS 砷化鎵場效晶體
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